公司研发人员由教授级高工/博士/博士后团队组成，核心技术和管理人员具有多年的负极材料应用开发经验。公司具有强大的自主研发与自主创新能力，已牵头硅基负极相关团体标准2项，已申请发明专利16项。昱瓴具有“低锂耗”、“CVD沉积”和“多孔硅基复合”三大核心技术。

（1）低锂耗硅氧碳负极（HSOC）采用控制含氧量、优化结构形貌形成稳定的SEI膜为基础的“低锂耗”技术，结合碳包覆提升电子电导率、稳定化学/电化学反应界面、提升材料的结构稳定性，从而达到高首效、长循环的目的。该技术比“预锂化”技术更安全，更易加工，储存更方便，且成本更低。

（2）沉积硅碳（DSC）领域布局核心专利技术，与美国EnerG2（系Group14母公司）的PCT专利进行了创新性技术对比，是目前在行业中能与美国Group14专利相抗衡的技术，打破了沉积硅碳负极被美国垄断的局面，具有较强的专利壁垒。

（3）多孔硅碳负极材料（PSC）作为昱瓴另一项自主研发产品，其三维多孔结构，有利于锂离子的快速传输，并提供一定的空间来缓冲活性物质在嵌/脱锂过程中的体积变化，释放应力/应变，具有良好的结构稳定性，并进一步通过复合碳纳米管或石墨烯来提高多孔硅碳负极材料的导电性能。我司以该技术牵头起草了《多孔硅基负极材料》标准。

公司积极发挥技术优势，采取差异化竞争，根据市场需求匹配不同比容量层级产品分别为低容量（420-550 mAh/g）、中容量（550-1000 mAh/g）、高容量（1000 mAh/g 以上）。真正做到了以市场为导向、以客户为中心的“定制服务”。硅基负极定制开发可以大大提升国内产业链在此领域的整体技术实力，为中国在下一代电池技术迭代升级中抢占先机。

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